DDR5 메모리는 불과 몇 달 전에 주류가되었지만 삼성은 이미 존재합니다. 초기 개발 프로세스 차세대 DDR6 메모리.

삼성은 DDR6 메모리의 초기 개발이 이미 시작되었음을 확인하고 MSAP Tech를 사용하여 최대 17,000Mbps의 속도 제공을 목표로 합니다.

동안 세미나 한국 수원에서 삼성의 테스트 및 시스템 패키지(TSP) 부사장은 향후 메모리 자체의 성능이 확장됨에 따라 캡슐화 기술이 진화해야 한다고 밝혔습니다. MSAP 기술을 적용할 차세대 DDR6 메모리 개발 초기 단계에 있음을 확인했다.

삼성에 따르면 MSAP는 이미 경쟁사(SK하이닉스, 마이크론)가 DDR5에서 사용하고 있다. MSAP의 새로운 기능은 무엇입니까? 음, MSAP 또는 DRAM 제조업체가 미세 회로 메모리 모듈을 만들 수 있도록 하는 수정된 세미-애디티브 프로세스입니다. 이것은 이전에 손대지 않은 빈 공간에 원형 패턴을 코팅하여 달성되어 더 나은 연결과 더 빠른 전송 속도를 허용합니다. 차세대 DDR6 메모리는 MSAP를 활용하여 회로 연결을 개선할 뿐만 아니라 DDR6 메모리에 통합될 계층의 증가에 적응할 것입니다.

초기의 텐트 방식은 원형 동판의 칠해진 부분만 덮고 원형 패턴이 형성될 부분만 덮고 나머지 부분은 식각했다.

그러나 MSAP에서는 원 옆의 영역을 칠하고 빈 영역을 칠하므로 더 정확한 원을 만들 수 있습니다. 부사장은 메모리 칩이 데이터 처리 용량과 속도를 증가시키면 그에 맞게 패키지를 설계해야 한다고 말했습니다. 구 회장은 “층 수가 늘어나고 연산이 복잡해지면서 메모리 패키지 시장도 기하급수적으로 성장할 것으로 예상된다”고 말했다.

I/O 핀을 칩 외부에 배치하여 볼 디자인을 유지하면서 칩을 더 작게 만드는 또 다른 캡슐화 기술인 플로우 측면에서 삼성은 외부 팬 칩 레벨 패키지(FO-WLP)와 팬 오프를 모두 구현했습니다. 보드 레벨 패키지(FO-PLP).

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삼성은 DDR6 설계가 2024년까지 완료될 것으로 예상하지만 2025년 이후에는 상용화되지 않을 것으로 예상합니다. 사양 면에서 DDR6 메모리는 현재 DDR5 메모리보다 2배 빠르며 최대 12800Mbps(JEDEC)의 전송 속도와 오버클러킹이 능가하는 속도로 17,000Mbps. 현재 삼성 가장 빠른 DDR5 DIMM 최대 7200Mbps의 처리량을 제공하며 이는 JEDEC에 비해 1.7배, 차세대 메모리 칩의 오버클러킹 속도로 2.36배 향상되었습니다.

이를 통해 메모리 제조업체는 이미 최대 DDR5-12600의 뛰어난 속도 가까운 장래에 DDR5는 확실히 소비자 플랫폼에 대한 잠재력이 있습니다. 올해 후반에 AMD의 Zen 4 플랫폼과 Intel의 Raptor Lake CPU 출시로 더 빠르고 더 조정된 DDR5 메모리 모듈을 기대하십시오.

뉴스 출처: 사모빌